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光応用装置


UVイレーサー

低圧UVランプから放射する254nmのUVを利用し、プラズマ処理や、熱アニール処理工程などで、蓄積された電荷を効率よく除去し、素子の特性を改善します。 特性の改善により製品歩留まりの向上、信頼性の向上が期待できます。

◆ 特 徴

1. フラッシュメモリやその他の不揮発性メモリ、イメージセンサなどのチャージ除去やデータ消去に有効です。
2. 半導体デバイスのトランジスタ特性の改善と安定化にも有効です。
3. チャージイレースに最適なUV波長を、効率よく照射します。
4. 幅広い角度からUVを照射することで、効率よくチャージを除去します。
5. 対象ウェーハサイズは、12インチ(標準)、11インチ(オプション)となります。
6. 処理中のウェーハ温度は100℃程度です。低温で処理可能なため、ダメージを与えません。
7. 装置は、装置本体、ランプ電源ユニット、制御ユニットから構成されています。

◆ 仕 様

型式 VUM-3500 VUS-3300
処理ウエーハ
サイズ
12インチ
8インチ OP OP
同時処理枚数 15枚 3枚
スループット ※1 約48WPH 約24WPH
カセット形態 FOUP FOUP
ウェーハ搬送 自動搬送 自動搬送
ランプ灯数 20本 4本
初期照度 45mW/cm2 45mW/cm2
照度測定 自動測定 自動測定
装置サイズ 1140(W)×
2100(D)×
1850(H)
1360(W)×
2210(D)×
2700((H)

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