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低圧UVランプから放射する254nmのUVを利用し、プラズマ処理や、熱アニール処理工程などで、蓄積された電荷を効率よく除去し、素子の特性を改善します。 特性の改善により製品歩留まりの向上、信頼性の向上が期待できます。 |
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1. |
フラッシュメモリやその他の不揮発性メモリ、イメージセンサなどのチャージ除去やデータ消去に有効です。 |
2. |
半導体デバイスのトランジスタ特性の改善と安定化にも有効です。 |
3. |
チャージイレースに最適なUV波長を、効率よく照射します。 |
4. |
幅広い角度からUVを照射することで、効率よくチャージを除去します。 |
5. |
対象ウェーハサイズは、12インチ(標準)、8インチ(オプション)となります。 |
6. |
処理中のウェーハ温度は100℃程度です。低温で処理可能なため、ダメージを与えません。 |
7. |
装置は、装置本体、ランプ電源ユニット、制御ユニットから構成されています。 |
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型式 |
VUM-3500 |
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処理ウエーハ サイズ |
12インチ |
○ |
8インチ |
OP |
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同時処理枚数 |
15枚 |
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スループット ※1 |
約35WPH |
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カセット形態 |
FOUP |
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ウェーハ搬送 |
自動搬送 |
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ランプ灯数 |
20本 |
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初期照度 |
45mW/cm2 |
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照度測定 |
自動測定 |
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装置サイズ・重量 |
本体 : 1360(W)×2210(D)×2700(H) 1400kg
電源部 : 1140(W)×1040(D)×2125(H) 800kg
制御部 : 1400(W)×450(D)×1950(H) 400kg |
※1 照度45mW/cm2、 露光量:50J(1100sec)の場合
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