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ホーム製品情報半導体用露光装置 | PPS-8200/8300

半導体用露光装置 ◆ ウェハ用

 PPS-8200/8300 6,8,12inchウェハ用モデル

用途

PPS-8200/8300
■ 2.5D,3Dパッケージ ■ CIS/LED
■ TSV ■ IGBT
■ インターポーザ ■ MEMS
■ WL-CSP/FO-WLP ■ Bumping

  特徴

  ■ 可変レンズNA機構と等倍Dyson光学系
■ 52x33mmの大面積露光フィールド
■ 最大8フィールドの効率的なレチクルデザイン
■ 周囲のケミカルとレジストアウトガスから光学系をプロテクト
■ 薄ウェハ・TAIKOウェハ・反りウェハなどに柔軟に対応する搬送系

  仕様

 
■ 露光波長  ghi線,gh線,i線
■ 解像度  2μm L/S (2μmt)
■ 焦点深度  ≧10μm
■ 初期照度  ≧2700mW/cm2
■ 照度分布  ≦ 3% (ghi線)
■ 露光フィールド  52 x 33 mm
■ オーバーレイ精度  ≦ 0.5μm (|AVE|+3σ)
■ 適応ウェハ  6,8,12inch
■ 装置寸法・重量  3460(D) X 2260(W) X
 2500(H) / 5500Kg

  オプション

  ■ ウェハ裏面マークでのアライメント機能
■ ウェハ周辺露光/非露光機能

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