露光装置:FDiシリーズ
bg fdi-series 02
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FDi-MP

FDi-MP

露光装置:FDi-MP 片面仕様

  

露光装置:FDi-MP 両面仕様
用途:高性能IC载板等的图形制作
  • FC-BGA基板
  • FC-CSP基板
  • AiP等各种模块板

 

特长
  • 10μm以下的线路图形通过直描式曝光实现
  • ORC特有的对位补偿技术使高精度的图形对位成为可能
  • 重视生产性⇔重视解像性的曝光切换模式的使用,不仅可以对应目前的量产,也使将来的产品开发和生产对应成为可能
  • 以FDi-MP为基础的,扩充到不同用途的制品也提供
制品规格

Specification

项目 Mode 1 Mode 2 Mode 3
光源 半导体激光
解像性(L/S) 4 μm 5 μm 8 μm
数据分解能 0.1 / 0.25 / 0.5 μm
最大曝光尺寸 515 x 515 mm
综合描画位置精度 3.5 μm
曝光模式

Exposure mode

 

 

3μm L/S (モード1適用)

FDi-Ms

FDi-Ms

露光装置:FDi-Ms
用途
  • 材料开发
  • 玻璃底片描画,其他

 

特长
  • 可以依照客户预算进行光学头构成的提案
FDi-MPW

FDi-MPW

露光装置:FDi-MPW
用途
  • FO-WLP的过孔形成,RDL形成

 

特长
  • 搭载Die by Die对位功能、
    本装置1台就可以对应Die偏移的曝光
RDi-MP Duo

RDi-MP Duo

露光装置:RDi-MP Duo
用途
  • COF,高精细FPC图形曝光

 

特长
  • 2条卷材可以同时搬送・曝光,提高了生产效率

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